今日 A 股存储芯片板块午后持续回暖,成为科技赛道的核心领涨主线,市场情绪与资金关注度同步攀升。板块内个股表现强势,龙头股大港股份午后快速封死涨停,香农芯创,科翔股份,普冉股份、德明利等个股紧随其后同步跟涨,形成清晰的板块联动效应。从驱动逻辑来看,此次板块回暖核心源于存储芯片价格进入明确上涨周期、AI 与数据中心需求爆发、行业供给优化等多重利好共振,资金围绕传统存储涨价、AI 存储创新等主线展开布局,板块短期景气度持续提升。
存储芯片价格全面上涨,机构上修涨幅预期。据网易新闻 11 月 6 日报道,全球存储芯片市场供需格局持续优化,价格进入加速上涨通道。DRAM 方面,受原厂减产 DDR4、服务器领域需求回暖推动,Trendforce 上调 2025 年 Q4 一般型 DRAM 价格预测,涨幅从 8-13% 上修至 18-23%,且存在再度上修可能;NANDFlash 方面,截至 10 月 29 日,TLC 闪存 256Gb/512Gb/1Tb 价格较 9 月 2 日分别上涨 16.7%/61.3%/27.0%,Trendforce 预计 2025 年 Q4NAND 合约价平均涨幅达 5-10%。
AI 服务器驱动需求结构升级,存储创新周期开启。网易新闻同期报道显示,全球数据中心基础设施扩建浪潮下,AI 大模型迭代对存储容量与性能提出更高要求。DRAM 领域,HBM(高带宽内存)价值含量远超传统 DRAM,LPDDR5X 等低功耗内存成为数据中心能效管理关键;NAND 领域,AI 推理催生 KVCache 卸载需求,叠加 HDD 缺货引发的替代效应,8TB/16TB 及以上中高容量 eSSD 应用占比大幅提升,PCIe5.0SSD 渗透率逐步提高,2026 年 QLC SSD 出货有望出现爆发性增长。
供给端持续优化,行业供需缺口扩大。网易新闻援引行业动态指出,海外主流存储原厂自 2024 年 Q4 起宣布减产或转产 DDR4,至今已逾半年,产能调整深入推进导致 DDR4 颗粒供不应求,价格持续攀升。NANDFlash 领域原厂同样采取控货策略,2025 年 9 月闪迪已宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨 10% 以上,供给收缩与需求增长形成共振,推动行业进入量价齐升阶段。
受积极影响的板块
传统存储芯片板块:直接受益于产品价格上涨与供需缺口扩大。国金证券研报指出,DDR4、NANDFlash 等传统存储产品价格进入明确上涨周期,具备产能规模与供应链优势的企业将充分享受涨价红利,营收与盈利水平有望同步改善。
AI 存储创新板块:AI 服务器需求爆发催生结构性机会。中信证券研报显示,AI 大模型训练与推理对存储性能和容量的极致要求,推动 HBM、LPDDR5X、PCIe5.0 SSD 等高端存储产品加速渗透,相关领域技术突破与产能落地的企业将获得估值溢价。布局 AI 存储相关技术或产品的产业链企业,将长期受益于存储创新大周期。
存储芯片设备与材料板块:行业扩产与技术升级带动配套需求。东吴证券研报提到,存储芯片价格上涨将刺激行业产能扩张,同时 AI 存储产品对生产工艺要求更高,将带动光刻机、刻蚀机等核心设备,以及特种气体、光刻胶等关键材料的需求增长。为存储芯片企业提供设备或材料支持的产业链配套企业,将间接享受行业高景气度传导带来的业务增量。
风险提示:本文提及的行业信息与企业动态仅作梳理,不构成任何投资建议;企业经营及市场波动存在不确定性,请注意相关风险。