TradingKey - 截至美东时间8月17日,美光(MU)股价当日上涨4.13%,收盘价报1011.75美元,重新站上1000美元关口。美光股价自7月29日最低跌至737.88美元以来,累计反弹约37%,但距离6月25日创下的1254.80美元历史高点约有20%的上涨空间。
近期美光管理层对存储市场的供需给出了相对积极的判断。
美光首席商务官在KeyBanc科技领导力论坛上表示,AI带来的存储需求正在快速增加,2027年的供应环境甚至可能比2026年更加紧张,供不应求的情况可能持续至2027年以后。
背后的原因主要来自AI服务器。AI服务器不仅需要大量HBM,同时也需要更多传统DRAM。更重
要的是,HBM本身会消耗更多晶圆产能。据美光披露,生产1 bit HBM3E所消耗的晶圆产能,大约相当于生产3 bits传统DDR内存。这意味着存储厂商把更多产能分配给利润率更高的HBM后,普通DRAM供应也会进一步受到限制。
Bank of America援引TrendForce预测称,2026年第三季度服务器DRAM价格预计环比上涨约13%—18%。近期闪迪也预计三、四季度DRAM和NAND价格仍有明显上涨空间,重新强化了市场对整个存储板块盈利周期持续时间的预期。
对美光股价而言,存储厂商具有较高经营杠杆,当产品价格上涨时,新增收入可以较快转化为毛利和利润。因此,只要DRAM和HBM继续保持供应紧张,市场对美光未来几个季度EPS的预测仍存在进一步上修可能,为股价重新挑战前期高点提供基本面支撑;反之,如果新增产能提前释放、DRAM价格涨幅快速下降,股价可能重新面临周期见顶的担忧。
美光股价日线图,来源:TradingView
从美光股价的日线图来看,股价走势已经从6月至8月初的回调阶段转入明显的修复行情阶段,同时,随着股价重新站上1000美元,并突破了7月23日的反弹高点1011.77美元,市场的做多动能得到进一步增强。
目前来看,股价已经涨至斐波那契0.236回撤位1030美元附近,虽然盘中一度涨至1036.13美元,但收盘价仍低于1030美元,显示出此位置具有一定压力,股价若能强势突破并站稳此位置上方,股价通往历史高点1255美元的上行空间将得到打开。
下行方面,股价下方首要支撑位注意1000美元关口,若此位置失守,股价短期内将进入震荡调整阶段,可能将向下测试930-900美元附近支撑位,若继续下行,可能将进一步跌向820美元附近。