国产刻蚀改写存储路线！北方华创3D DRAM突破，绕过EUV也能造先进存储？lg...

9月7日午后，半导体设备、材料涨幅进一步扩大，江丰电子、矽电股份大涨8%、7%，立昂微、芯源微、华峰测控、长川科技多股涨超6%，拓荆科技、中微公司、北方华创等纷纷跟涨。

ETF方面，半导体设备ETF招商（561980）全天高开高走，截至目前标的指数盘中上涨3%。资金面数据显示，该ETF连续6日净流入2.5亿元，20个交易日内16度净流入共超6亿元，显示板块拥挤度回流后资金持续增仓。

消息面上，近日，国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出创新的“两步循环刻蚀”工艺。

在EUV光刻机出口管制持续收紧的背景下，这一突破为国产存储芯片开辟了一条避开光刻壁垒的新路径。业界分析认为，长鑫若能整合北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺，将大幅提升3D DRAM自主量产的可行性，有望在2027年迎来新一轮研发突破。

数据显示，长鑫存储2026年第二季度全球DRAM市场份额已提升至10%，排名第四，是当季成长最快的DRAM供应商。市场地位的快速攀升与技术路线向3D DRAM的战略转向，恰好在这个时间点交汇。

同时，华为在半导体理论层面迎重磅验证。继5月25日V1版本、7月4日V2版本之后，9月4日，华为韬定律V3版本首次以量产芯片实测数据正面回应3D堆叠散热难题，麒麟实测晶体管密度跃升55%，同等性能下NPU功耗下降66%、GPU功耗下降58%、CPU性能核心功耗下降41%。

北方华创近期在3D DRAM刻蚀工艺上的突破，与华为韬定律3.0从不同维度指向同一个方向——三维堆叠正在成为后摩尔时代国产半导体换道超车的确定性路径。从设备端到设计端，国产半导体产业链正在形成从底层理论到制造工艺的完整突破链条。

半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，覆盖北方华创、中微公司、拓荆科技等、长川科技等设备龙头，2020年以来上涨422%领先半导体材料设备（302%）、科创芯片(270%)等同类指数。3D DRAM工艺突破带来的设备需求增量，叠加韬定律指引下3D堆叠架构对刻蚀、薄膜沉积等设备的持续拉动，正在为国产半导体设备持续夯实逻辑。

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