对标三星、海力士1c工艺！长鑫第五代DRAM量产，半导体设备ETF招商(561980)标的指数“长鑫存储”含量60%！lg...

上周A股开启修复行情，科技板块大幅反弹。半导体方向涨幅居前，半导体设备ETF招商（561980）标的指数单周上涨8%，为周度涨幅较大的方向之一、资金面兑现特征明显。

周末产业传来重磅利好。2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台正式量产，同步展出两款基于该平台的24Gb LPDDR5X产品，均已进入规模量产阶段。

搭载该产品的全球首款AI智能体手机努比亚NaviX Ultra同期发售，标志着国产高端存储芯片首次进入主流旗舰手机供应链。

核心突破：无EUV，逼近1c

本次长鑫G5平台最值得关注的技术路径是：未使用EUV、而是依靠DUV四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。按照DRAM行业命名惯例，这一数值已跨入1c工艺门槛——即三星、SK海力士和美光目前年量产的主力工艺级别。

关键工艺参数同步披露：存储电容深宽比达45:1，采用适配DRAM的高介电常数金属栅工艺，核心功能区高度缩小至6762纳米——这些工艺组合将四重曝光带来的面积损失几乎完全抵消，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。

产品端，两款LPDDR5X单颗容量24Gb，较上一代提升50%，其中10667Mbps速率版本已在努比亚旗舰机型实现国产首次量产应用。此外，LPDDR6产品亦在大会首次公开展出，峰值速率12800Mbps，首批搭载于小米18 Fold。

产业意义：差距从“两代以上”收缩至“1-2代”

长鑫存储目前为全球第四大DRAM厂商，G5量产意味着其与国际三巨头的技术差距显著收窄。行业评估认为，长鑫在制程节点上已进入三星、海力士1c工艺的对标区间。

需要客观看待的是，无EUV路径的代价同样存在：掩膜层数更多、良率控制更难，每比特成本仍高于三巨头。HBM等高端领域尚未突破。G5的价值在于以可得设备实现了等效制程，而非全面追平。

从产业节奏看，G5平台成熟及良率爬坡，将为HBM、DDR6、LPDDR6等更高端产品的开发迭代提供工艺基础，推动产品结构与价值量向上迁移。

资本市场方面，今年7月27日长鑫正式登陆科创板，以579亿元募资规模成为科创板史上最大IPO。2026年H1营收1503.1亿元、同比+873.64%，归母净利润776.05亿元、抹平成立来全部亏损，在业绩兑现上与技术突破同步。

产业传导：多家设备、材料厂商卡位长鑫供应链

值得指出的，长鑫DRAM能以DUV多重曝光达到国际主流工艺的等效水平，后续若以这种能力可转化为可持续的产能扩张，将在技术路径跑通的基础上形成扩产确定性。

按照Wind所属热门概念划分，截至8月底，半导体设备ETF招商（561980）标的指数“长鑫存储”概念含量高达60%，多家成分股在长鑫供应链中处于核心卡位。

1.北方华创向长鑫供应刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗等多类设备，其中12寸TSV设备已成熟并大批量出货。

2.中微公司的电容耦合等离子体刻蚀机已在长鑫DRAM多个关键制程中批量应用，下一代高深宽比刻蚀机型正在产线验证。

3.拓荆科技是长鑫核心薄膜设备供应商，PECVD/ALD/SACVD设备已在产线批量应用。

4.雅克科技在长鑫前驱体采购份额中占比60%以上，其中17nm DRAM制程所用的High-k前驱体为独家供应等等。

摩根大通预计，受惠于长鑫存储及长江存储IPO推进，本地晶圆厂设备供货商的内存及先进逻辑需求在2026年将分别按年增长超过50%及30%，2027年将有进一步上升空间。

该机构还指出，随着本土人工智能芯片产量从2026年下半年开始增加，后端设备供货商亦可受惠于先进封装、测试等增量需求。半导体设备公司增长能见度延长有助支持板块估值维持高位。

资料显示，半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，北方华创、中微公司、雅克科技等半导体设备材料占比高达80%，同时布局寒武纪、海光信息、中芯国际等算力芯片与晶圆制造龙头（20%），截至9月18日2020年来累涨469%，大幅领先半导体材料设备（348%）、科创芯片(298%)等同类指数，高弹性特征突出。

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