国产DRAM重大突破！长鑫4F²架构预计年底亮相，科创100ETF博时(588030)盘中成交额超1亿元lg...

截至2026年10月12日 13:22，科创100ETF博时(588030)跟踪指数上证科创板100指数(000698)下跌1.69%。成分股方面涨跌互现，惠泰医疗领涨3.72%，华峰测控上涨3.53%，固德威上涨3.48%；恒玄科技领跌8.83%，有研硅下跌8.77%，聚辰股份下跌5.99%。

流动性方面，科创100ETF博时盘中换手3.14%，成交1.10亿元。拉长时间看，截至10月9日，科创100ETF博时近1周日均成交2.89亿元。

10月9日至10月10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行。会上，长鑫科技集团股份有限公司总裁曹堪宇全面介绍了该公司在DRAM（动态随机存取存储器）器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并宣布预计年底将推出融合先进技术的新一代DDR（双倍速率同步动态随机存储器）5RDIMM（寄存式双列直插内存模组）产品。

目前，DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F²是衡量DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现了存储密度的提升。

业内专家表示，随着底层器件、架构层面等技术积累逐步转化为商用产品，长鑫科技将带动国内存储产业链在芯片设计、制造工艺、半导体设备、材料端形成协同创新，推动存储产业升级发展。

招商证券指出，存储行业缺货预计延续至2027年，国内存储原厂扩产整体有望提速，投产推升设备需求及市场空间，设备、材料及零部件等产业链环节订单及国产化率持续提升，同时存储技术迭代升级带动定制化新品兴起，CBA及先进封装产业链有望受益。

科创100ETF博时(588030)紧密跟踪上证科创板100指数，上证科创板100指数从上海证券交易所科创板中选取市值中等且流动性较好的100只证券作为样本。上证科创板100指数与上证科创板50成份指数共同构成上证科创板规模指数系列，反映科创板市场不同市值规模上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年9月30日，上证科创板100指数(000698)前十大权重股分别为芯源微、华峰测控、安集科技、普冉股份、炬光科技、芯碁微装、长光华芯、绿的谐波、南亚新材、思瑞浦，前十大权重股合计占比25.51%。

科创100ETF博时(588030)，场外联接(博时上证科创板100ETF联接A：019857；博时上证科创板100ETF联接C：019858；博时上证科创板100ETF联接E：023990)。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况，结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险，不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险，包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。

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