国产4F² DRAM架构技术突破！马斯克出手芯片制造产业，光刻机巨头罕见涨价10%！拓荆科技涨超3%，芯片ETF汇添富(516920)连续5日吸金！lg...

10月12日，A股市场震荡走弱，科技板块延续此前回调趋势。值得注意的是，芯片ETF汇添富(516920) 已连续5日吸金3900万元，资金逢跌积极布局芯片全产业链！

截至13:20，芯片ETF汇添富(516920)标的指数——中证芯片产业指数早盘深 V 反转冲高后震荡回落，一度涨1%，多空博弈激烈，现跌逾1%。

芯片ETF汇添富(516920)标的指数热门成分股涨跌互现：拓荆科技涨超3%，华海清科、中微公司涨超1%，寒武纪小幅上涨；下跌方面，兆易创新跌超3%，长川科技、澜起科技跌超2%，中芯国际、海光信息跌超1%，北方华创小幅下跌。

【芯片ETF汇添富(516920)标的指数前十大成分股】

【截至13:02，注：成分股仅做展示，不作为个股推介】

消息面上，当地时间10月10日，SpaceX创始人马斯克表示，鉴于公司在制造定制化设备方面的专长，公司很可能“摸索出比任何人都更好的芯片制造方法”。马斯克正准备通过旗下特斯拉和SpaceX与英特尔公司的合资企业，在得克萨斯州格莱姆斯建造一座Terrafab工厂，初始投资超过150亿美元。

国产4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。国产存储巨头企业总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

据悉，三星电子明年约80%的存储芯片产能已通过长期供应协议提前锁定。英伟达、谷歌、微软等全球科技巨头已与三星签署覆盖逾五年的芯片供应协议，尚未完成签约的企业正在暗中角力，争夺剩余约20%产能。

全球最大的半导体设备供应商、光刻机巨头阿斯麦又一涨价措施落地。阿斯麦将统一上调在韩国供应的设备替换零部件价格，涨幅10%，三星电子与SK海力士已接受这一方案。新价格将从明年1月起生效，本次涨价范围涵盖EUV及DUV光刻机的全部零部件。

此外，英伟达最新提交的10-Q季报显示，公司表外担保总额已达5300亿美元，较上一季度披露的1840亿美元大幅跃升，单季增幅超过180%。研究机构SemiAnalysis指出，随着英伟达盈利能力持续增强，其表外义务规模在未来几年有望进一步扩张至1万亿美元以上。

【存储：HBM之后，SSD接过AI需求的“第二棒”】

存储正在成为当前半导体景气最明确的增量之一，而近期需求开始从HBM向更大范围的存储品类扩散。国元证券指出，北美云厂商近期上调企业级SSD需求预测，预计2026年第四季度订单规模可能超过第三季度，推动企业级SSD价格延续上涨。除AI训练外，Agentic AI的数据检索、向量数据库以及KV Cache卸载正在带动大容量QLC SSD需求，反映AI存储需求正由HBM、DRAM进一步向NAND和企业级SSD扩散。

训练时代更强调“高带宽”，而进入推理和Agent阶段后，大量数据需要持续检索、缓存和调用，“容量”开始与“带宽”同样重要。AI存储的增长逻辑，也由单一高端产品向多层存储体系延伸。

从行业数据看，这一趋势已经体现在收入端。国元证券指出，2026年第二季度全球半导体收入超过4250亿美元，环比增长31.4%，连续刷新季度收入及环比增幅纪录；存储器是本轮增长的主要动力，第二季度存储芯片收入占全球半导体市场的一半以上，DRAM、NAND和NOR收入均创季度新高。

交银国际认为，AI智能体的兴起或进一步提升CPU/存储器需求，使CPU/存储器供不应求进一步加剧，并延长CPU/存储器上行周期。 因此，当前存储行情值得关注的已不只是周期性涨价，而是AI工作负载变化正在带来新的结构性需求。

从HBM解决“算力带宽”，到企业级SSD解决“海量数据调用”，存储正在由AI芯片的配套环节，逐渐变成决定系统效率的重要基础。

（来源：国元证券20260929《半导体与半导体生产设备行业周报：存储需求持续升温，先进封装技术与产能加快升级》；交银国际证券20260924《2027年AI增长能见度上升，AI智能体进一步推动CPU／存储需求》）

【先进封装：芯片性能继续上探，封装能力开始决定集成上限】

AI芯片持续追求更高算力和更大带宽，产业竞争也已经不只是制程本身。如何把CPU、GPU、HBM等多颗芯片高密度集成到一起，正在成为影响系统性能的重要变量。 近期，从DRAM技术路线调整，到晶圆级封测扩产，再到2.5D封装设备出货，先进封装正在迎来一轮更明确的产业催化。

国元证券指出，三星电子调整下一代DRAM技术路线，将采用晶圆对晶圆（W2W）混合键合的B1b方案纳入正式路线图，并定位为其首代亚10纳米级DRAM。 B1b将存储单元与外围驱动电路分别制造在不同晶圆上，再通过铜互连直接键合，有利于提高存储密度，并分别优化两类电路的制造工艺。相较仍面临高深宽比刻蚀、漏电控制及新材料等技术挑战的VCT方案，混合键合已在CMOS图像传感器和高层数NAND中获得应用，商业化基础相对成熟。

技术路线变化之外，国内先进封装产能也在加快投入。国元证券指出，佰维存储拟投资约45亿元建设晶圆级先进封测制造项目三期，其中固定资产投资约40亿元；此前一、二期合计投资30.9亿元，设备正在陆续交付，对应2.5D封装月产能约3000片。此次扩产反映AI及存储需求增长正在向国内晶圆级封装、2.5D封装和测试环节传导，但项目建设及产能消化仍存在不确定性。

设备端也出现同步变化。国元证券指出，9月22日，韩美半导体首台FC Bonder 75向客户出货，标志着公司产品布局由HBM用键合设备进一步延伸至AI系统芯片2.5D先进封装市场。 该设备支持最大75×75毫米中介层封装，可满足CPU、GPU与HBM等多颗芯片集成，以及AI芯片封装尺寸持续扩大的需求。

这背后的产业逻辑是，芯片性能提升正在从“单颗晶体管缩得更小”转向“更多芯片如何高效集成”。AI芯片封装尺寸扩大、HBM堆叠增加、异构集成复杂度提升，都在推高先进封装的重要性。封装不再只是芯片制造的最后一道工序，而是逐渐参与决定系统性能、功耗和带宽上限。

（来源：国元证券20260929《半导体与半导体生产设备行业周报：存储需求持续升温，先进封装技术与产能加快升级》）

一键布局“科技之矛”，首选芯片ETF汇添富（516920）！芯片ETF汇添富（516920）跟踪的中证芯片产业指数包含芯片板块50只龙头股，综合覆盖设备材料、晶圆代工、设计、封测等芯片全产业链环节！

值得重点关注的是，芯片ETF汇添富（516920）的管理费率为0.15%，托管费率0.05%，为芯片主题ETF中费率最低档品种，仅为市场主流费率——“管理费率0.5%，托管费率0.1%”的三分之一，拉长时间看省到就是赚到！

风险提示：基金有风险，投资需谨慎。芯片ETF汇添富（516920）属于中高风险等级（R4）产品，适合经客户风险等级测评后结果为进取型（C4）及以上的投资者。文中提及个股仅为指数成份股客观展示列举，本文出现信息只作为参考，投资人须对任何自主决定的投资行为负责。本文中的任何观点、分析及预测不构成对阅读者任何形式的投资建议。投资者在申购/赎回ETF基金份额时，申购赎回代理券商可按照不超过0.50%的标准收取佣金，其中包含证券交易所、登记机构等收取的相关费用。其他基金的销售费用请参见相应基金的招募说明书、产品资料概要等法律文件。

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