长鑫存储4F²技术取得进展：它对三星、SK海力士和铠侠的市场威胁有多大？lg...

TradingKey - 长鑫存储（CXMT）近日披露4F² DRAM架构进展，并计划于2026年底推出相关DDR5 RDIMM服务器内存。

公司正进一步拓展服务器内存市场，但产品能否按期量产，仍取决于良率、性能测试和客户认证。

消息公布后，日韩相关等存储股集体承压，10月13日亚盘交易时段，截止午间收盘，铠侠跌超12%，SK海力士重挫超9%，三星跌超8%，市场开始重新评估长鑫对全球DRAM竞争格局的影响。

【来源：TradingView】

长鑫存储4F²技术能否改变DRAM竞争？

目前主流DRAM多采用6F²存储单元结构。4F²通过缩小单个存储单元的占用面积，提高单位晶圆的存储密度，理论上有助于降低单位容量成本。

长鑫存储披露，其4F²方案结合垂直沟道晶体管和混合键合技术，计划首先用于服务器DDR5 RDIMM。相关产品目前仍处于推出前阶段，尚未公布具体规格、量产规模及客户名单。

服务器内存对稳定性、功耗、可靠性和长期供货能力要求较高。长鑫要将4F²技术转化为商业产品，还需要完成试产、良率提升、模组测试和客户认证。因此，现阶段不能仅凭技术路线图判断其对行业竞争格局的实际影响。

据Counterpoint估算，2026年第二季度，三星电子在全球DRAM市场的份额约为38%，排名第一；SK海力士约为25%，排名第二；长鑫存储约为10%。

而铠侠主营NAND闪存和固态硬盘，并非DRAM主要供应商。据TrendForce数据显示，2026年第二季度，铠侠NAND营收约107.2亿美元，营收份额约13.6%，排名第四。

三星和SK海力士：短期影响集中在传统DRAM

如果长鑫完成DDR5服务器内存认证并扩大出货，竞争影响可能首先体现在中国市场的供应选择和价格谈判。若其产品进一步通过海外服务器客户认证，三星和SK海力士才可能面临更明显的订单和价格压力。

按照目前公布的产品计划，长鑫4F²技术主要面向DDR5 DRAM，对三星和SK海力士HBM业务的直接影响有限。三星已宣布HBM4开始量产并向客户出货，后续业绩仍取决于HBM出货规模、客户采用情况和产品价格。

长鑫能否进入全球服务器供应链，还取决于产品验证、供货稳定性、量产良率及相关贸易政策。现阶段，长鑫更适合被视为传统DRAM市场的潜在竞争者，尚不能视为三星和SK海力士高端HBM产品的直接替代者。

铠侠：影响主要来自服务器存储预算

长鑫目前的产品计划集中在DRAM，暂不直接竞争铠侠的NAND闪存和企业级SSD。即使长鑫扩大DDR5服务器内存供应，目前也没有证据表明会直接导致铠侠NAND或SSD订单减少。

潜在影响主要体现在服务器硬件采购结构和供应商议价上。若DRAM价格、供应量或采购占比发生变化，云服务商可能调整服务器预算，但企业级SSD需求不一定因此下降。

如果DRAM成本降低，节省的预算也可能用于扩大存储容量，或采购其他数据中心设备。铠侠后续表现仍主要取决于NAND价格、企业级SSD订单、产品结构及数据中心投资。

长鑫存储的威胁有多大？

长鑫4F²技术进展提高了DRAM市场的竞争预期，但目前尚不足以证明三星和SK海力士的高端HBM业务将受到明显冲击。

长鑫的实际影响，仍取决于四项进展：产品能否按期推出、量产良率能否达标、服务器客户认证能否完成，以及出货规模能否持续扩大。

按照目前的产品定位，长鑫若实现稳定量产，影响可能先体现在中国DDR5市场，并通过价格谈判和供应选择增加区域竞争压力。只有在获得更多海外服务器客户认证并扩大供货后，竞争影响才可能进一步延伸至全球市场。

如果量产、认证或出货进度低于预期，市场影响仍主要停留在预期层面。三星和SK海力士需要关注传统DRAM价格、订单和市场份额变化；铠侠与长鑫不存在直接产品竞争，后续重点仍是NAND价格、企业级SSD订单和数据中心投资。

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