格芯计划在纽约州新建两座芯片工厂，科创芯片ETF博时(588990)近5日合计“吸金”超4500万元lg...

截至2026年10月15日 13:37，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数上证科创板芯片指数(000685)下跌2.62%。成分股方面涨跌互现，思特威领涨4.21%，华海清科上涨2.54%，拓荆科技上涨0.92%；澜起科技领跌6.65%，优迅股份下跌5.95%，东芯股份下跌5.67%。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手7.25%，成交4418.78万元。拉长时间看，截至10月14日，科创芯片ETF博时近1周日均成交6022.46万元。

美国半导体制造业扩产，又迎来一笔大规模投资。当地时间10月14日，格芯宣布，已被选定为美国纽约州两座新半导体晶圆厂的技术提供商和运营方。该项目由美国与日本合作推动，投资规模最高可达210亿美元，旨在扩大美国本土半导体制造能力，强化关键供应链，并满足汽车、工业和互联基础设施等领域持续增长的芯片需求。

根据公布的计划，日本将提供资金，格芯负责技术和运营。首座晶圆厂预计投入约100亿美元，计划于2029年投产，第二座晶圆厂预计再投入约100亿美元。

国信证券指出，AI主导本轮景气周期，逻辑与存储呈现结构性供需紧张。从产业基础看，逻辑与存储芯片分别承担计算与数据存取职能，是AI算力体系的两大核心硬件环节。北美云厂商资本开支持续上修，需求沿AI服务器向先进逻辑、HBM及企业级存储传导。逻辑端，高端制程产能扩张仍受CoWoS等先进封装能力制约；存储端，AI需求非线性增长叠加HBM对传统DRAM产能的挤占，供给释放相对缓慢，共同强化本轮上行周期的持续性。

资金流入方面，科创芯片ETF博时最新资金流入流出持平。拉长时间看，近5个交易日内有3日资金净流入，合计“吸金”4541.25万元，日均净流入达908.25万元。

科创芯片ETF博时(588990)紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年9月30日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、中微公司、澜起科技、中芯国际、海光信息、源杰科技、拓荆科技、华海清科、华虹宏力、中科飞测，前十大权重股合计占比60.73%。

科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况，结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险，不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险，包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。

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