三星携手台积电代工英伟达下一代HBM芯片，半导体ETF博时(159582)近10日合计“吸金”超8800万元lg...

截至2026年10月19日 13:42，半导体ETF博时(159582)跟踪指数中证半导体产业指数(931865)下跌3.73%。成分股方面涨跌互现，金海通领涨3.85%，有研硅上涨2.89%，沪硅产业上涨2.73%；拓荆科技领跌11.79%，中科飞测下跌7.44%，中微公司下跌5.36%。

流动性方面，半导体ETF博时盘中换手7.44%，成交5430.79万元。拉长时间看，截至10月16日，半导体ETF博时近1周日均成交7935.00万元。

三星电子将采用台积电的3纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。

据了解，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星据悉在内部审查后接受了英伟达的要求，但计划保留其内部生产模式，用于生产标准HBM和为其他客户定制的产品。

分析人士认为，英伟达推动NVHBM标准化生产，不仅有助于提升产品性能一致性和供应效率，也打破了传统存储厂商各自为战的模式。在AI基础设施竞争日趋激烈的背景下，原本处于激烈竞争关系的三星与台积电，因英伟达的需求而形成临时合作关系，这种现象凸显出人工智能产业对全球半导体供应链格局正在产生越来越深远的影响。

东吴证券表示，存储与逻辑设备需求共振，看好半导体设备明年订单和利润高增。AI需求激增导致HBM产能挤占传统DRAM供应，全球供需缺口持续扩大，我国存储玩家份额提升有望带动国产设备放量；同时，随着韬定律突破光刻限制，国产芯片成本与性能将持续突破，后续有望加速放量。受全球需求激增影响，海外零部件交期拉长，国内龙头设备商已经出现零部件紧缺现象，国内客户与设备商将加速导入国产零部件，相关设备商和零部件供应商有望充分受益于此轮大扩产与国产化率提升。

资金流入方面，半导体ETF博时最新资金净流入648.30万元。拉长时间看，近10个交易日内有8日资金净流入，合计“吸金”8824万元。

半导体ETF博时(159582)紧密跟踪中证半导体产业指数，中证半导体产业指数从上市公司中，选取不超过40只业务涉及半导体材料、设备和应用等相关领域的上市公司证券作为指数样本，以反映半导体核心产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年9月30日，中证半导体产业指数(931865)前十大权重股分别为中微公司、北方华创、寒武纪、拓荆科技、长川科技、海光信息、华海清科、中科飞测、中芯国际、华峰测控，前十大权重股合计占比79.04%。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况，结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险，不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险，包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。

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