长鑫科技放量涨近8%，黄仁勋：对与长鑫合作持开放态度，没有谁在制造业方面比中国更强lg...

交易所数据显示，长鑫科技10月23日大幅低开，开盘价38.76元，早盘快速冲高至39.88元附近后遇阻回落，随后在均价线附近反复震荡。午后13点起买盘明显增强，股价放量持续拉升，接连突破40元、41元、42元整数关口，14点后最高触及43.15元，尾盘高位小幅回落，最终收于42.85元，涨幅7.93%，全天成交额197.98亿元，振幅11.08%。

从上市以来的区间表现看，长鑫科技曾以8.66元发行价登陆科创板，上市首日即大涨466%，此后进一步攀升至61.80元的历史高位，区间最大涨幅超过6倍，市值一度站上4.2万亿元。即便经历了此后的深度回调，其上市初期所展现出的财富效应，在A股科技板块中依然极为罕见。

市场炒作长鑫科技的核心逻辑并不复杂。作为国内唯一实现DRAM大规模量产的厂商，长鑫科技同时踩中了国产替代与AI存储超级周期两条主线。在AI服务器需求爆发、DRAM价格持续高位的情况下，公司全球市占率攀升至第四位，打破了三星、SK海力士、美光三家长期垄断的格局，2026年前三季度实现扭亏为盈。资金愿意持续给予高溢价，本质是在为存储国产化与AI算力需求共振的长期叙事定价。

消息面上，高盛最新研报指出，长鑫科技第三季营收指引达1150亿至1200亿元，季增15%至20%，净利指引530亿至550亿元，中位数均高于此前预期，驱动因素包括AI需求带动服务器DRAM与HBM拉货、下游客户为分散供应链而导入公司产能，以及DRAM价格维持高位。与此同时，英伟达首席执行官黄仁勋在柏林GTC大会期间明确表示，到2029年出现内存供应过剩的可能性不大，HBM未来数年会持续得到应用。这一表态进一步强化了市场对存储行业高景气延续的预期。

另外，据央视新闻报道，当地时间10月22日，英伟达CEO黄仁勋在德国柏林举办的英伟达GPU技术大会期间表示，到2029年内存供应过剩的可能性不大，“内存的一个真正好处是，你总是可以用得更多”。近期，有专家在韩国媒体上刊文提到，存储超级周期可能已经结束，到2029年，该行业可能进入下行周期。受此影响，全球存储概念股遭到抛售。

内存是英伟达芯片的核心组件，供应过剩可能压低价格并打击SK海力士、三星和美光等制造商的利润率。黄仁勋表示，英伟达将继续大量使用LPDDR和HBM等存储芯片。

当被问及是否考虑与中国长鑫存储合作时，黄仁勋回应提到，对此持开放态度。他表示：“我们与中国公司合作，几乎整个世界都在供应链的某个环节与中国公司合作。中国在底层基础设施技术方面非常出色，没有哪个国家在制造业方面比中国更强。”