长鑫科技4F²垂直沟道DRAM架构获关键突破，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨超4%，半导体ETF国联安(512480)跟踪指数涨超4%lg...

截至2026年11月2日 13:53，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨3.77%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手16.06%，成交1.33亿元。成分股格科微上涨14.85%，翱捷科技上涨13.37%，概伦电子上涨12.27%，普冉股份，睿创微纳等个股跟涨。

半导体ETF国联安(512480)跟踪指数中证全指半导体产品与设备指数(H30184)强势上涨3.90%。半导体ETF国联安盘中换手5.84%，成交9.27亿元。成分股安集科技上涨18.61%，格科微上涨14.85%，翱捷科技上涨13.37%，概伦电子，富创精密等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。

半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

消息面上，10月30日，长鑫科技表示，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。据了解，传统DRAM的晶体管是水平放置的，而4F²架构的关键在于把晶体管“竖起来”。 长鑫科技的4F²架构，核心是用自研的垂直晶体管（VSG） 来压缩存储单元面积，目标是在同样的晶圆上做出更多的DRAM。

兴业证券认为，算力产业链、自主可控等方向仍维持高景气，订单落地、资本开支、盈利兑现的节奏保持稳定。在核心产业保持高景气的背景下，若指数全年难以取得正向收益，并不符合基本面定价的规律，盈利增长本身就构成估值修复的内在动力。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。

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