据格隆汇梳理,美银美林Simon Woo于2026年11月13日发布报告,认为NAND现货价格下行压力加剧、1Q27平均售价预计环比低个位数下调,与市场预期继续上涨显著背离,而DRAM涨价趋势则维持到1Q27。
核心判断逻辑: NAND现货价格自10月中旬至下旬已下跌超20%,PC和智能手机OEM及中国超大规模云厂商订单走弱,1Q27合约价格谈判可能被推迟、缺乏急单。尽管厂商持续强调企业级eSSD需求强劲可部分抵消IT NAND疲软,但占全球总晶圆产能20-30%的老旧晶圆厂并不适合高端NAND/eSSD,将继续用于IT NAND,因此美银假设1Q27整体NAND平均售价环比低个位数下降(4Q26仍为环比+3%):IT NAND价格预计环比下跌5-10%,企业级应用基本持平或小幅上涨,大容量NAND和eSSD每比特价格小幅下调属厂商对QLC产品的主动促销。这一判断与市场普遍预期的NAND ASP仍上涨10%左右存在明显差异。
DRAM方面,美银仍假设4Q26平均售价环比+8%、1Q27环比+5%。三星投资者会议显示,美国AIDC芯片需求强劲、无订单削减,HBM市场领导地位较一年前大幅改善,DRAM长期协议强劲上升;但管理层对HBM目标并不激进、采取自律策略,份额最多做到与DRAM相当(高30%或40%),因LPDDR5到2027年底仍比HBM更有利可图,2027年合约价格涨幅可能不及TrendForce预期。
关键数据: 本周512Gb NAND现货下跌超10%、1Tb NAND下跌近中个位数,16Gb DDR5现货价格稳定。DRAM现货与合约价格年初至今上涨100%以上,合约价甚至上涨100-200%;16Gb DDR5现货价10月底创约61美元纪录后目前约60美元。DRAM合约价10月环比+5%,无下调迹象。8Gb DDR4现货价11月上半月创47美元历史新高后小幅回调。NAND晶圆现货价格10月下跌13%、11月上半月下跌15%。多数DRAM股票估值处2026-27年盈利的3-5倍,远低于AI半导体同行。
风险提示: 11月/12月DRAM合约价存在下行风险;NAND短期面临需求疲软和现货价格调整。