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天合光能取得太阳能电池专利,专利技术能提供一种制备方法

2023-11-22 14:24:14
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摘要:金融界2023年11月22日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司取得一项名为“太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统”,授权公告号CN116825901B,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。该太阳能电池的制备方法包括提供衬底,将第二面划分为第一、第二区域和隔离区;在衬底的第二面上依次层叠形成第一隧穿氧化层、第一本征非晶硅层、第二隧穿氧化层和第二本征非晶硅层;去除位于第二区域的第二本征非晶硅层和第二隧穿氧化层;向位于第一区域的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层掺杂第一元素,得到第一、第二掺杂层;向位于第二区域的所述第一本征非晶硅层掺杂第二元素,得到第三掺杂层;在隔离区形成隔离结构,以将位于第一区域的第一隧穿氧化层与位于第二区域的第一隧穿氧化层隔离,并将位于第一区域的第一掺杂层和第二掺杂层二者与位于第二区域的第三掺杂层隔离。

金融界2023年11月22日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司取得一项名为“太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统”,授权公告号CN116825901B,申请日期为2023年8月。

专利摘要显示,本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。该太阳能电池的制备方法包括提供衬底,将第二面划分为第一、第二区域和隔离区;在衬底的第二面上依次层叠形成第一隧穿氧化层、第一本征非晶硅层、第二隧穿氧化层和第二本征非晶硅层;去除位于第二区域的第二本征非晶硅层和第二隧穿氧化层;向位于第一区域的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层掺杂第一元素,得到第一、第二掺杂层;向位于第二区域的所述第一本征非晶硅层掺杂第二元素,得到第三掺杂层;在隔离区形成隔离结构,以将位于第一区域的第一隧穿氧化层与位于第二区域的第一隧穿氧化层隔离,并将位于第一区域的第一掺杂层和第二掺杂层二者与位于第二区域的第三掺杂层隔离。

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