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高通公司取得NVM矩阵电路专利,能够执行矩阵计算

2023-11-28 12:09:19
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摘要:金融界2023年11月28日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司取得一项名为“采用NVM矩阵电路以执行矩阵计算的非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路“,授权公告号CN110892480B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,公开了非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路,其采用NVM电路以用于执行矩阵计算。在本文公开的示例性方面中,提供了一种NVM矩阵电路,其具有多个NVM存储串电路,多个NVM存储串电路各自包括多个NVM位单元电路,多个NVM位单元电路各自被配置为存储存储器状态。每个NVM位单元电路具有由电阻表示的所存储的存储器状态并且包括晶体管,该晶体管的栅极节点耦合到多个字线中的字线,多个字线被配置为例如接收1×m大小的输入矢量。给定NVM位单元电路的栅极的激活控制其电阻是否对相应的源极线起作用。这使得基于每个NVM位单元电路的电阻对其相应的源极线的加权的和贡献,来在每个源极线上生成和电流。

金融界2023年11月28日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司取得一项名为“采用NVM矩阵电路以执行矩阵计算的非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路“,授权公告号CN110892480B,申请日期为2018年6月。

专利摘要显示,公开了非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路,其采用NVM电路以用于执行矩阵计算。在本文公开的示例性方面中,提供了一种NVM矩阵电路,其具有多个NVM存储串电路,多个NVM存储串电路各自包括多个NVM位单元电路,多个NVM位单元电路各自被配置为存储存储器状态。每个NVM位单元电路具有由电阻表示的所存储的存储器状态并且包括晶体管,该晶体管的栅极节点耦合到多个字线中的字线,多个字线被配置为例如接收1×m大小的输入矢量。给定NVM位单元电路的栅极的激活控制其电阻是否对相应的源极线起作用。这使得基于每个NVM位单元电路的电阻对其相应的源极线的加权的和贡献,来在每个源极线上生成和电流。

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