金融界2023年12月25日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“形成互连结构的方法“,授权公告号CN113658906B,申请日期为2021年3月。
专利摘要显示,在一些实施方式中,本揭露是关于一种形成互连结构的方法,此方法包含沉积多个硬罩幕层于互连介电层上。沉积第一图案化层于多个硬罩幕层上,并形成第一罩幕结构于第一图案化层上。第一罩幕结构具有透过第一极紫外线(EUV)微影制程形成的开口。依照第一罩幕结构移除部分的第一图案化层。形成第二罩幕结构于经图案化的第一图案化层内。第三罩幕结构形成于最上方的硬罩幕层上,且具有透过第二极紫外线微影制程形成的开口。进行移除制程,以图案化多个硬罩幕层,借以在互连介电层中形成开口,并于互连介电层的开口内形成具有圆角的互连导线。