金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司取得一项名为“钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法“,授权公告号CN116404070B,申请日期为2023年6月。
专利摘要显示,本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法,通过对初始叠层结构中掺杂膜层的掺杂源进行激活处理,使得掺杂源向多晶硅膜层中扩散,以得到掺杂叠层结构。一方面初始叠层结构包括交替设置的多晶硅膜层、掺杂膜层且初始叠层结构的底层、顶层均为多晶硅膜层,掺杂膜层中的掺杂源可以向两侧多晶硅膜层扩散,以减少掺杂源向基片方向扩散的掺杂量,并使得掺杂源的分布更均匀,降低接触电阻率;另一方面,该初始叠层结构的底层多晶硅膜层可以隔离掺杂膜层与隧穿层,防止隧穿层被激活处理后的掺杂源扩穿,以提高隧穿层的钝化效果。因此,可以平衡隧穿层和掺杂叠层结构的工艺效果,提高电池转换效率。