长鑫存储取得电容结构及其形成方法专利，改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题lg...

摘要：金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容结构及其形成方法“，授权公告号CN109148427B，申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明提供一种电容结构及其形成方法，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；固定层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于所述固定层，形成位于固定层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，避免了形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，此外，该电容结构无顶部支撑层，在保证电容器件性能稳定的前提下又节约了工艺成本，具有很好的工业化前景。