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天合光能申请太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统专利,防止热斑效应

2024-03-05 08:58:47
金融界
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摘要:金融界2024年3月5日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统“,公开号CN117650188A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括:半导体基底,具有相对设置的第一面和第二面;半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区,第一导电区包括沿第一方向相邻排布的第一子区和第二子区,第一子区与第二导电区相接;第一方向垂直于半导体基底的厚度方向;第一发射极,设于第一面上,且位于第一导电区;绝缘层,设于第一发射极上,且位于第一子区;以及第二发射极,设于第一面上;第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极,第一子发射极位于第二导电区,第二子发射极设于绝缘层上;其中,第一发射极与第一子发射极电性导通。本申请能够防止热斑效应。

金融界2024年3月5日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统“,公开号CN117650188A,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括:半导体基底,具有相对设置的第一面和第二面;半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区,第一导电区包括沿第一方向相邻排布的第一子区和第二子区,第一子区与第二导电区相接;第一方向垂直于半导体基底的厚度方向;第一发射极,设于第一面上,且位于第一导电区;绝缘层,设于第一发射极上,且位于第一子区;以及第二发射极,设于第一面上;第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极,第一子发射极位于第二导电区,第二子发射极设于绝缘层上;其中,第一发射极与第一子发射极电性导通。本申请能够防止热斑效应。

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