东尼电子取得碳化硅单晶生长装置专利，实现灵活调整加热温度的技术效果lg...

摘要：金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，浙江东尼电子股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅单晶生长装置“，授权公告号CN114438593B，申请日期为2021年12月。专利摘要显示，本发明属于碳化硅技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置。本发明通过用于盛放碳化硅单晶生长原料的坩埚，以及加热筒，还包括设置在坩埚上的升降杆单元，设置在升降杆单元上的箱体单元，以及设置在箱体单元上并用于调整升降杆单元位置的转盘单元起到了灵活调整加热温度的技术效果。本发明具有结构简单，安装方便，通过升降杆调整坩埚与加热筒的相对位置以实现温度控制，并且设置挤压杆部使得坩埚上升到一定高度便实现自锁功能停止上升避免与加热筒脱离导致温度过低，以及设置伸缩柱部使得坩埚下降到一定高度亦可实现自锁功能避免与加热筒接触导致温度过高，同时设置了弹簧、传动杆、传动绳等传动结构用于实现自动锁定和自动解锁的优点。