新洁能取得一种带沟槽的终端结构专利，降低了器件制作成本，提高了性价比lg...

摘要：金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种带沟槽的终端结构“，授权公告号CN108321187B，申请日期为2018年4月。专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属及位于所述集电极金属上方的第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层表面设有一个第二导电类型阱区及包围所述第二导电类型阱区的若干个第二导电类型场限环，其特征在于，在所述第二导电类型阱区内设置若干个互相平行的沟槽，在所述沟槽内设有位于中心区浮空的导电多晶硅及包裹所述导电多晶硅的栅氧层；本发明通过在阱区内增加沟槽结构来增大主结处的电势，减少场限环的数目，进而减少器件终端宽度，本发明在保证器件耐压能力的同时，减小了器件终端面积，进而减小了整个器件的面积，降低了器件制作成本，提高了性价比。