从长鑫存储发力CXL看机遇！DRAM（内存）题材或迎估值重塑的重大机会，产业链企业谁将首先受益？lg...

行业权威媒体 DIGITIMES 在 2025 年 9 月 10 日的报道中明确指出，长鑫存储已启动 CXL DRAM 模组的开发。报道提到，业界普遍预期 CXL 3.0 市场将自 2026 年起正式开启，长鑫存储的布局被视为对这一趋势的响应。此外，CXL 技术的核心价值（如内存池化、低延迟）与长鑫存储当前聚焦的高性能存储方向高度契合。

一、对DRAM题材的重大影响：

1、技术突破重塑估值逻辑 CXL 技术作为解决 “内存墙” 的关键方案，其市场规模呈现高速增长态势。行业研究机构预测，全球 CXL 市场将保持显著的扩张趋势，这为相关产业链企业提供了广阔的成长空间。长鑫存储作为国内 DRAM 领域的领军企业，布局 CXL 技术意味着其在高端存储领域的技术实力得到提升，这种突破有望带动 A 股 DRAM 板块整体估值中枢上移。从产业逻辑看，核心技术的自主化突破往往会引发市场对板块长期价值的重估，此次技术布局也可能形成类似的市场预期。

2、供应链协同激活增量需求 CXL 模组的开发涉及控制器芯片、封装测试等多个环节的紧密配合。以控制器芯片为例，澜起科技等企业已在相关领域积累了技术储备，其产品与长鑫存储的 CXL 模组存在潜在的协同空间。在封装测试环节，深科技等具备先进封装能力的企业，有望凭借技术积累承接长鑫存储的配套需求。这种产业链内部的协同效应，将推动相关环节企业的业务需求增长，形成板块内的联动效应。

3、国产替代进程加速推进 当前全球 DRAM 市场呈现高度集中的格局，韩美厂商占据了绝大多数市场份额。2025 年第一季度，长鑫存储的 DRAM 出货量市场份额在国产替代进程中已取得了阶段性成果。CXL 技术的布局进一步强化了其在高端市场的竞争力，有助于缩小与国际巨头的差距。在全球供应链不确定性增加的背景下，国内市场对自主可控存储方案的需求日益迫切，长鑫存储的技术突破将加速国产替代的节奏，为 A 股相关企业创造更多市场机会。

二、核心产业链上下游企业

澜起科技：控制器芯片领域 澜起科技在内存接口芯片领域具备深厚的技术积累，CXL 技术的推广需要高性能控制器芯片的支持，公司在该领域的技术储备有望转化为未来的业务增量。

深科技：封装测试领域 深科技在存储芯片封装测试领域拥有成熟的技术和产能布局，CXL 模组对封装工艺提出了更高要求，相关封装需求也将逐步释放，为公司业绩增长提供支撑。

兆易创新：设计与制造协同企业 兆易创新与长鑫存储存在 “设计 + 代工” 的深度合作关系，这种绑定模式使得双方能够在技术研发和产品迭代方面形成合力。

江波龙：模组应用先行企业 江波龙等已推出 CXL 相关内存扩展方案的企业，在技术应用层面具备先发优势。这类企业凭借前期的技术积累和产品布局，有望在市场放量阶段占据有利位置。

北方华创、安集科技：设备与材料配套企业

北方华创、安集科技等设备和材料企业，在半导体产业链中处于关键配套地位。北方华创在刻蚀等设备领域的技术突破，安集科技在抛光液等材料领域的进口替代进展，都使其具备承接相应增量需求的能力。

三、市场投资风险

截至目前，长鑫存储官网、公告及投资者关系页面均未提及 CXL 模组开发计划。投资者需要密切留意长鑫存储或其合作伙伴在行业展会或投资者交流中的相关表态。

CXL 3.0 协议复杂度较高，CXL 模组生产需依赖先进封装技术，投资者需要持续关注技术成熟度、市场竞争等风险因素，注意规避市场投资风险。