6天翻倍，纳微半导体还能疯多久？lg...

从10月13日开始，纳微半导体便进入疯涨模式，仅用6个交易日，实现107.8%的涨幅： $纳微半导体(NVTS)$

这波暴涨建立在此前已经涨超330%的情况下，二次腾飞是有新的变量发生吗？

先来简单介绍下纳微半导体，公司是一家美国功率半导体企业，核心技术为GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）功率器件，专注于高能效电源转换领域，是全球最早专注商业化 GaN 功率芯片的公司之一。

其产品主要用于手机快充、电源适配器、新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器等。

最近一年，纳微半导体业绩很差，今年二季度的营收只有1449万美元，同比下滑29.2%：

业绩下滑主要是GaN快充市场竞争激烈，纳微半导体主动退出相关市场，聚焦于高端产品。叠加中美半导体科技战及贸易战，下游客户，如小米、安克创新、OPPO等转向自研或采购中国厂商产品。

但是，今年5月，英伟达宣布与纳微半导体合作开发下一代800伏高压直流（HVDC）架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。

随着GPU性能升级，数据中心功率需求爆炸性增长，数据中心总功率从10–20 MW增长至100 MW+。

传统数据中心使用低压交流（AC）配电，效率有限（70%-80%），而功率不断提升导致电缆损耗剧增、热管理困难、电源体积过大、成本与碳排放激增。

800V 高压直流（HVDC）架构可以解决上述问题，成为下一代数据中心转型方向：

800V 高压直流架构必须采用高压功率器件，其中，SiC（碳化硅）支持高压、耐温，用于电网到直流转换（SST阶段）；GaN（氮化镓）高频、高效率，用于 DC/DC 模块和处理器供电阶段。

纳微半导体同时具备 GaN + SiC 技术，是极少数能完整覆盖三层电源架构的厂商，公司预计2030年数据中心800V 高压直流市场规模达26亿美元：

纳微半导体去年的营收才8300万美元，800V数据中心市场无疑打开了新的增长空间。

得益于技术领先及美国身份，纳微半导体成功打入英伟达供应链，实现了逆天改命。而最近的暴涨，是在10月13日（美东时间）举行的OCP大会上，英伟达发布了《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》白皮书，明确采用800 VDC架构作为未来AI数据中心的核心解决方案。

与此同时，纳微半导体宣布在研发先进的800伏直流氮化镓和碳化硅功率器件方面已取得进展，并推出了一款专为GPU电源板上低电压DC-DC转换阶段设计的新型100伏GaN场效应晶体管产品组合。

虽然800V架构大势所趋，但目前还处于取样试验阶段，等大规模应用需要到2026年底及2027年。

而且，800V数据中心市场规模预计为26亿美元，虽然高功率市场竞争不算激烈，但届时纳微半导体能拿到多少市场份额犹未可知。

假设拿下50%的市场，年收入也不过13亿美元，数据中心市场的盈利能力较高，纳微半导体预计能超过50%，纵使按照30%的净利率算，纳微半导体当下的市盈率也在10倍左右。

这样的远期估值虽然不高，但毕竟要到2030年才能实现，实在过于遥远。

除了数据中心市场大客户在北美外，移动、新能源汽车、储能、逆变器市场主要在中国，在美国半导体对华极限打击下，中国客户会放心采购纳微半导体的产品吗？

而且，功率半导体技术门槛远低于CPU\GPU等逻辑芯片，在数据中心市场，纳微半导体也不是完全没有对手，港股的英诺赛科同样打入了英伟达供应链：

由此来看，纳微半导体最近的暴涨更像是事件驱动下的投机炒作，至于最后能否幻化为收入，还需时间变现，等待的过程，变量可太多了！ $英诺赛科(02577)$