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三星取得用于制造半导体器件的方法专利，该专利技术能实现在衬底上形成模制结构

4月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于制造半导体器件的方法“，授权公告号CN108807385B，申请日期为2018年4月。专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。

金融界2024-04-30

三星取得电子装置和用于控制该电子装置的方法专利，能实现对神经网络的输入数据进行滤波的操作命令检查

4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“电子装置和用于控制该电子装置的方法“，授权公告号CN110678883B，申请日期为2018年6月。专利摘要显示，公开了一种电子装置。所述电子装置包括：存储器；以及处理器，针对从根据神经网络的学习产生的多个滤波器选择的每个主样式的滤波器检查用于对神经网络的输入数据进行滤波的操作命令，并且将检查的操作命令存储在存储器中。

金融界2024-04-29

雅克科技获民生证券买入评级，前驱体与LNG助力成长

公司目前持续为京东方，华星光电，惠科，三星电子，LG等世界领先面板制造企业提供产品服务，且业务已有连续性优势。同时，雅克科技的LNG业务在手订单充足，长期盈利能力稳步提升。公司到2026年预计能实现100.2亿元的营收，实现归母净利润14.75亿元。我们看好公司对半导体材料的平台化布局，对应当前股价的PE分别为29/23/19倍，维持“推荐”评级。风险提示：市场需求不及预期，产品验证进度不及预期。

金融界2024-04-27

别眨眼！今晚重头戏是TA 美元指数、欧元、英镑最新技术前景分析

尽管如此，美国强劲的盈利消息仍支撑了三星电子、台积电和腾讯等亚洲科技巨头股价走高。周五，日本、韩国、台湾和中国股市基准均收高。延伸阅读：【日股收市】“破罐子破摔” 日央行不保日元日经指数急剧反弹！数据重创美联储降息预期经济增长意外“爆冷”，核心通胀顽固，数据发布后市场预计美联储“首降”时机推迟至12月，2024年全年料仅降约35个基点，远低于年初预测。#美联储政策转向# 通胀急剧上升，消费者和政府支出降温，美国第一季度经济大幅放缓，为近两年来最低增长水平。美国商务部周四发布的数据显示，美国第一季度实际GDP年化季环比初值增长1.6%，远不及市场预期的2.5%，较去年四季度的3.4%大幅放缓。第一季GDP加权价格指数为 3.1%，高于预期的3.0%，几乎是第四季度1.6%的两倍。同时发布的季度通胀数据方面，个人消费支出(PCE)年化季环比初值增长2.5%，较前值3.3%大幅放缓，同样不及预期的3%；不含食品和能源的核心PCE价格指数年化季环比增长3.7%，超出预期的3.4%，几乎是前值2%的两倍，为一年来首次出现季度增长。显示核心通胀依然顽固。美联储青睐的通胀指标——核心个人消费支出平减指数将于周五晚些时候公布，预计3月份将环比上涨0.3%，与2月份的涨幅持平；3月份核心PCE预计年增长率为2.6%；总体PCE通胀率预计同比将从2.5%升至2.6%。然而，3月份的月度PCE数据料不太可能对市场预期产生重大影响，尤其是在季度数据发布之后。然而，如果月度核心个人消费支出价格指数涨幅低于预期，可能会引发美元短暂疲软。美元指数 FXEMPIRE分析师Arslan Ali指出，美元指数枢轴点设置为105.521。直接阻力位为106.111和106.536，直接支撑位为104.901，其次是104.434和103.865。由于看涨情绪高于105.521美元，突破这一水平可能会引发巨大的抛售压力。（来源：FXEMPIRE）欧元/美元 Arslan Ali称，欧元枢轴点设置为1.07351。直接阻力位为1.07658、1.07926和1.08347；直接支撑位为1.07045，其次是1.06658和1.06029。由于看跌情绪普遍低于1.0735 美元，突破这一水平可能表明转向更加看涨的偏见，反之亦然。（来源：FXEMPIRE）英镑/美元 Arslan Ali称，英镑枢轴点设定为1.25228。直接阻力位为1.25786、1.26401和1.27087；而直接支撑位为1.24260，其次是1.23656和 1.23023。由于看跌情绪普遍低于1.25228，突破该水平可能意味着转向更加看涨的偏见，反之亦然。（来源：FXEMPIRE）

冷眼独行2024-04-26

【直击亚市】日本央行再补一刀！今日“黑天鹅”必飞出 PCE风暴绝对重磅

定后，日本股市延续上涨势头，韩国股市在三星电子的推动下上涨。中国大陆和台湾地区股市也上涨，科技股走高。澳大利亚S&P/ASX 200指数下跌，受其最大成分股必和必拓集团的拖累，该公司收购英美资源集团(Anglo American Plc)的消息传出。#亚市直击# 日元兑美元汇率跌至34年来新低，扭转早些时候的走强趋势，加剧了有关当局可能最早于今日干预市场的猜测。日元兑美元汇率加速走软，本周触及1990年以来的最低水平。早盘交易中，日本10年期国债收益率升至去年11月以来的最高水平。日元又跌了日本央行在为期两天的会议上维持利率不变，并简化了有关债券购买的措辞。此次会议是在日元本周触及34年新低之后召开的。据一份声明，日本央行周五在会议结束时将基准利率维持在0%至0.1%的区间，符合经济学家的普遍预期。日本央行表示，将按照3月份的决定购买政府债券。日本央行删除了一个补充说明，称过去每月购买约6万亿日元(合385亿美元)。按兵不动的决定和在债券问题上的措辞调整，对支撑日元没有起到什么作用。这是自1990年以来日元兑美元汇率首次跌破156关口。日本央行行长植田和男Kazuo Ueda)在制定政策路线时面临两难境地。这位央行行长表示，他希望在上个月结束负利率政策、自2007年以来首次加息后逐步加息。与此同时，他不希望给步履蹒跚的经济施加太大压力。据预估，日本经济在第一季度出现萎缩。这些因素加在一起，让市场人士预计短期内不会有什么变化，即使在他3月叫停央行大规模宽松计划之后，也加剧了日元的下行压力。日本外汇官员加大了对日元过度疲软的警告力度，商界领袖也放大了他们的担忧，含蓄地向日本央行施压，要求其不要进一步加剧日元的下跌。日元今年已经是主要货币中跌幅最大的货币。这次会议的一个关键焦点是日本央行对债券购买的立场。在会议召开之前，一些分析师认为，购买量的减少可能被用来暗示一种旨在缓解日元压力的初步鹰派倾向。科技乐观在微软和Alphabet双双超过华尔街利润预期后，美国股指期货上涨。Snap Inc.在尾盘交易中也因收益预期向好而上涨。标准普尔500指数和纳斯达克100指数期货的上涨扭转周四的跌势。追踪纳斯达克100指数的2,500亿美元ETF在周四常规交易结束后上涨1.2%。这令那些担心该行业估值过高的投资者松了一口气的是，Alphabet超出了销售预期，并宣布派发股息。受企业对其云计算和人工智能产品的需求提振，同为巨擘的微软也超出了预期。投资者已经表明，他们对人工智能的前景感到兴奋，但希望科技公司在此期间继续关注收入和利润。与其他大型科技公司一样，Alphabet一直在投入资金开发人工智能，这一战略帮助推动对其云服务的需求。在云计算市场上，谷歌远远落后于亚马逊和微软，位居第三，但该公司在人工智能领域的实力可能有助于缩小差距。亚洲市场的美国国债价格变动不大，此前美国最新数据压低了对美联储降息的预期，导致周四进一步下跌。澳大利亚10年期国债收益率跳涨逾10个基点，新西兰10年期国债收益率攀升约7个基点。周四公布的美国季度核心个人消费支出(PCE)价格指数以3.7%的涨幅快于预期，加上美国国内生产总值(GDP)数据落后于所有人的预测，这再次点燃市场对滞胀的担忧。美联储青睐的通胀指标——核心个人消费支出平减指数将于周五晚些时候公布。 “这份报告是两个世界中最糟糕的：经济增长正在放缓，通胀压力持续存在，”Independent Advisor Alliance的Chris Zaccarelli说，“美联储希望看到通胀开始持续下降，但市场希望看到经济增长和企业利润增加。” 在其他方面，黄金价格周五几乎没有变化，本月早些时候上涨到历史高点后，金价开始下跌。美国WTI原油升至一周多来的最高水平，与本周涨幅一致。

云涌2024-04-26

三星申请半导体装置专利，该专利技术能优化半导体装置的结构

4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117936504A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案；第一分离结构和第二分离结构，其中，相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极/漏极图案之间，穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面；介电层，选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部；电源线，在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底部上；以及下导体，在贯穿过孔下方。

金融界2024-04-26

三星申请用于路径分布估计的方法和装置专利，能够生成多个路径并训练路径分布估计模型

4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于路径分布估计的方法和装置“，公开号CN117928530A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了用于路径分布估计的方法和装置。所述方法包括：生成初始信息，初始信息包括地图信息、出发信息和到达信息中的任意一个或者任意两个或更多个的或任意组合；通过将初始信息输入到规划器集合来生成多个路径；以及训练路径分布估计模型输出与所述多个路径对应的路径分布。

金融界2024-04-26

三星申请电子设备及其操作方法专利，可从高分辨率输入图像获取高分辨率输出图像

金融界2024-04-26

三星申请用于多小区调度的PDCCH监控专利，成功支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统

4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于多小区调度的PDCCH监控“的专利，公开号CN117941305A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于多小区调度的物理下行链路控制信道(PDCCH)监控的方法和装置。用于用户设备(UE)的方法，包括：接收第一信息、第二信息和第三信息，第一信息指示包括多个一个的小区的小区集合，第二信息指示与用于在多个小区上进行调度的下行链路控制信息(DCI)格式相关联的第一搜索空间集合，第三信息指示与所述小区集合相对应的指示符值。所述方法还包括：确定所述第一搜索空间集合与所述小区集合之间的关联，以及基于所述第一搜索空间集合和所述指示符值，确定用于接收PDCCH候选的控制信道元素(CCE)；以及在所述CCE上接收所述PDCCH候选。

金融界2024-04-26

芯片需求大爆炸！SK海力士Q1业绩“炸裂”，还要豪掷150亿美元建厂

倍，今年迄今累计涨幅超20%，是仅次于三星电子的全球第二大芯片制造商。不过虽然业绩表现强劲，公司股价今日不涨反跌。截至发稿，SK海力士在韩股市场下跌超4%报171300韩元。 Q1业绩大爆炸财报显示，SK海力士第一季度收入为12.43万亿韩元（约合90亿美元），同比增长144%，创历史新高。营业利润为2.886万亿韩元（约合20.98亿美元），营业利润率为23%，同比扭亏为盈，并创下历年同期第二高纪录。净利润为1.92万亿韩元（合13.9亿美元），净利润率为15%，此前已连续五个季度出现净亏损。这份强劲的业绩，SK海力士将其归功于“AI服务器产品的销售增长，以及推动盈利的努力”。其凭借高带宽内存（HBM）等人工智能（AI）芯片技术优势，致力于提升AI服务器芯片销量，并维持以盈利为主的管理模式，由此取得营业利润环比骤增734%的佳绩。闪存方面，随着属于高端产品的企业级固态硬盘（eSSD）销量比重、平均售价的提高，NAND业务成功实现扭亏为盈。 SK海力士认为，在经历了长期的低迷之后，公司已经进入了明显反弹的阶段。公司还预测，随着AI内存需求的持续增长，未来几个月整体内存市场将稳步增长，而传统DRAM市场也将从下半年开始复苏。首席运营官 Kim Woo Hyun 在财报电话会议上表示，对企业级固态硬盘的需求帮助 SK 海力士的 NAND 业务在第一季度恢复盈利。他表示，2024 年的投资将略高于年初的计划，其中大部分支出将集中在高利润产品和基础设施上，以实现中期增长。 “撸起袖子加油干”！随着人工智能芯片需求激增之下，SK 海力士成为AI采用爆炸式增长的最大受益者。在芯片市场上，英伟达占据了AI芯片80%的市场份额，而作为英伟达的HBM3唯一供应商，SK 海力士无疑已经准备好要“起飞”。为了满足AI内存需求，SK海力士接下来准备“撸起袖子加油干”。 DRAM领域，公司计划增加HBM3E的供应量，HBM3E已于3月开始量产，这是业内首次，同时扩大客户群。该公司还将在年内推出基于1bnm工艺的32Gb DDR5产品，这是第五代10nm技术，以加强其在大容量服务器DRAM市场的领导地位。对于NAND业务，SK海力士将寻求产品优化，以维持盈利复苏的趋势。 SK海力士将积极增加其美国子公司Solidigm的高性能16通道eSSD和基于QLC1的高容量eSSD的销售。以及尽早推出第五代面向AI PC的PCIe cSSD，以优化产品阵容来响应市场需求。本周早些时候，SK 海力士表示拟在韩国投资约150亿美元，以满足HBM芯片产能。日前，SK海力士宣布将投资5.3 万亿韩元（38.6亿美元）在韩国生产DRAM芯片。公司计划于 4 月底开始建设名为 M15X 的芯片工厂，并计划在 2025 年 11 月之前实现量产，以满足对AI芯片的激增需求。新生产基地旨在增加DRAM产能，重点是HBM。SK海力士表示，从长远来看，总投资将超过20万亿韩元（约合146亿美元）。对此，Counterpoint Research 总监 Tom Kang 表示，SK海力士今年的高端内存产能已被预订满，需要新工厂来满足需求。他表示，SK 海力士预计今年营收将达到近 61 万亿韩元，利润率将超过 20%。 “这对于 SK 海力士来说是一个明显的转变，也是破纪录的一年的开始。” 另外，SK海力士还在推进韩国龙仁半导体集群投资计划，最终将向该集群注入约120万亿韩元。计划明年在龙仁市开始建设第一座晶圆厂，并于 2027 年竣工。公司还计划在美国印第安纳州投资39亿美元建立一个高端封装工厂和AI产品研究中心。与此同时，SK海力士还准备和台积电合作，打造高带宽存储器4芯片和下一代封装技术。HBM4芯片预计将于2026年开始量产。在财报电话会议上，首席财务官金宇炫说，凭借由HBM领导的人工智能存储领域业界最佳技术，SK海力士已经进入了一个明确的复苏阶段。 “我们将通过在正确的时间提供业内表现最佳的产品并维持盈利至上的承诺，继续努力改善我们的财务业绩。”

格隆汇2024-04-25

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