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三星电子将在世界移动通信大会上展示其首款智能戒指
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三星电子计划在巴塞罗那举行的世界移动通信大会上，推出其首款可穿戴智能戒指。三星电子周日表示，将首次公开展示智能戒指Galaxy Ring，并称在先进人工智能技术的支持下，Galaxy Ring将为用户提供更加个性和丝滑的体验。Galaxy Ring预计将于2024年晚些时候正式发布。
金融界2024-02-25
三星将首次公开展示智能戒指Galaxy Ring
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2月25日，三星电子发布新闻稿称，在西班牙巴塞罗那举行的2024年世界移动通信大会上，三星电子将通过Galaxy AI带来全新的移动体验。三星展台的参观者将在所有Galaxy产品上亲身体验Galaxy AI，包括Galaxy S24系列。Galaxy AI还将扩展到整个三星产品组合，包括通过Galaxy Book4系列、Galaxy Watch6系列，以及首次公开展示的Galaxy Ring。
金融界2024-02-25
三星将在MWC大会推出可穿戴智能戒指
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三星电子计划在巴塞罗那举行的世界移动通信大会上推出首款可穿戴智能戒指，成为其健康系列的其中一个产品。三星在周日的一份声明中表示，在人工智能技术的支持下，Galaxy Ring为用户提供了更加个性化和无缝的体验。三星表示，参加MWC的观众还将能够看到与Galaxy S24手机配套的Galaxy Watch 6系列手表的新健康功能，这些功能将于今年晚些时候向公众发布。MWC 2024将于2月26日-29日举办。
金融界2024-02-25
三星取得执行回声消除的通信设备和方法及计算机可读介质专利，提供了一种执行回声消除的通信设备和方法及计算机可读介质
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“执行回声消除的通信设备和方法及计算机可读介质“，授权公告号CN111756942B，申请日期为2020年3月。专利摘要显示，提供了一种执行回声消除的通信设备和方法及计算机可读介质。方法包括：在近端设备处从远端设备接收远端信号；在近端设备处记录包括近端信号和与远端信号对应的回声信号的麦克风信号；从远端信号提取多个远端特征；从麦克风信号提取多个麦克风特征；将麦克风特征和远端特征提供给声学回声消除模块，以根据麦克风信号计算多个估计的近端特征，声学回声消除模块包括：包括递归神经网络的第一堆叠的回声估计器，第一堆叠基于远端特征计算多个估计的回声特征；以及包括递归神经网络的第二堆叠的近端估计器，第二堆叠基于第一堆叠的输出和麦克风特征计算估计的近端特征；根据估计的近端特征计算估计的近端信号；以及将估计的近端信号发送到远端设备。
金融界2024-02-25
三星取得无线通信模块专利，实现5G通信技术与物联网技术的融合
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“测试无线通信模块的方法及包含无线通信模块的电子设备“，授权公告号CN113243090B，申请日期为2019年12月。专利摘要显示，提供了一种用于将第四代(4G)通信系统或支持超过第四代(4G)系统的更高数据速率的第五代(5G)通信系统与物联网(IoT)技术进行融合的通信方法和系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全和安保服务。本公开提供了一种包括无线通信模块的电子设备。所述无线通信模块包括：天线阵列，包括至少一个天线元件；移相器，被配置为控制从所述天线阵列辐射的波束的相位；处理器，电连接至所述移相器，并且被配置为通过控制所述移相器来执行波束形成；以及存储器，包含所述无线通信模块的相位偏移信息。
金融界2024-02-24
三星取得多方向沟道晶体管专利，提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件“，授权公告号CN111725314B，申请日期为2019年10月。专利摘要显示，提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管、以及包括该多方向沟道晶体管的半导体器件，其中该多方向沟道晶体管包括：至少一个鳍，在衬底上的有源区上，并且与在第一方向上延伸的凹陷相邻设置；栅线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且覆盖所述至少一个鳍和凹陷的至少一部分；源/漏区，在栅线两侧处的有源区上；以及沟道区，在源/漏区之间在栅线下方的有源区中，其中第一方向与第二方向斜交，并且栅线下方的电介质膜在所述至少一个鳍和凹陷两者上具有基本相同的厚度。
金融界2024-02-24
三星取得半导体器件专利，提供接触区域以电连接到单元接触插塞
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN110970443B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：第一衬底结构，包括第一衬底、栅电极、单元接触插塞和第一接合垫，栅电极堆叠在第一衬底上，并且延伸不同的长度以提供接触区域，单元接触插塞在接触区域中连接到栅电极，第一接合垫分别设置在单元接触插塞上以电连接到单元接触插塞；以及第二衬底结构，在第一衬底结构上连接到第一衬底结构，并且包括第二衬底、设置在第二衬底上的电路元件和接合到第一接合垫的第二接合垫，其中，接触区域包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一宽度，第二区域的至少一部分重叠第一接合垫，并且具有大于第一宽度的第二宽度，第二宽度大于第一接合垫的宽度。
金融界2024-02-24
三星取得集成电路器件专利，该专利技术能实现鳍型有源区、纳米片和栅极线的集成
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件“的专利，授权公告号CN110890363B，申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件可以包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一水平方向延伸；第一纳米片，设置在鳍型有源区的上表面之上，其间具有第一分离空间；第二纳米片，设置在第一纳米片之上，其间具有第二分离空间；栅极线，在与第一水平方向交叉的第二水平方向上在衬底上延伸，栅极线的至少一部分设置在第二分离空间中；和底部绝缘结构，设置在第一分离空间中。
金融界2024-02-24
三星取得半导体器件专利，晶体管的阈值电压可实现不同
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN110690287B，申请日期为2019年7月。专利摘要显示，本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。
金融界2024-02-24
三星取得半导体器件专利，提升源极/漏极区的接触效果
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件“，授权公告号CN110620110B，申请日期为2019年2月。专利摘要显示，一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触；蚀刻停止层，构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区；以及接触插塞，形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。
金融界2024-02-24

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