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三星申请半导体器件和半导体芯片专利，提高芯片区域的对准和测试效率
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和半导体芯片“，公开号CN117476606A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体器件可以包括基板上的多个芯片区域、在基板上围绕所述多个芯片区域中的每个的至少一个划道、包括在所述多个芯片区域中的多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案、以及包括在所述至少一个划道中的多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。
金融界2024-01-30
三星申请与多TRP通信的方法和用户设备专利，实现维持包括一个或更多个激活的传输配置指示符(TCI)状态的当前TCI状态集
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“与多TRP通信的方法和用户设备“，公开号CN117479313A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了一种与多TRP通信的方法和用户设备。根据实施例，所述方法包括：维持包括一个或更多个激活的传输配置指示符(TCI)状态的当前TCI状态集；接收TCI状态信息，其中，所述TCI状态信息指定指示的TCI状态集，所述指示的TCI状态集包括所述激活的TCI状态中的一个或更多个激活的TCI状态；并且基于所述指示的TCI状态集更新所述当前TCI状态集。
金融界2024-01-30
三星申请制造半导体器件的方法专利，该方法能实现在同一腔室中交替地执行沉积导电层和蚀刻导电层
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体器件的方法“，公开号CN117476454A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上依次堆叠牺牲层和支撑层、形成穿透牺牲层和支撑层以与衬底接触的底电极、图案化支撑层以形成将底电极彼此连接的支撑图案、去除牺牲层以暴露底电极的表面、在底电极的暴露表面和支撑图案的表面上沉积导电层、以及蚀刻导电层。蚀刻导电层包括选择性地去除在支撑图案上的导电层以暴露支撑图案的所述表面。沉积导电层和蚀刻导电层在同一腔室中交替地执行。
金融界2024-01-30
三星申请图像传感器专利，提供了一种图像传感器
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“图像传感器和包括该图像传感器的电子装置“，公开号CN117476714A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，提供了一种图像传感器，包括：像素阵列，包括多个成像像素和多个自动对焦像素；以及透镜阵列，包括分别面对多个成像像素的多个微透镜，以及面对多个自动对焦像素的一个或多个超透镜，其中，多个成像像素中的每个成像像素包括：第一红色超颖光电二极管，被配置为选择性地吸收红色波段的光；第一绿色超颖光电二极管，被配置为选择性地吸收绿色波段的光；以及第一蓝色超颖光电二极管，被配置为选择性地吸收蓝色波段的光。
金融界2024-01-30
三星申请半导体器件专利，提高电子系统性能
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子系统“，公开号CN117479536A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括外围电路区和存储单元区。存储单元区可以包括：堆叠结构，包括在竖直方向上重复且交替地堆叠的栅电极和层间绝缘层；以及沟道结构，穿透堆叠结构。栅电极可以包括第一栅电极、第一栅电极上的第二栅电极、以及第二栅电极上的第三栅电极。每一个第一栅电极可以具有第一厚度。每一个第二栅电极的第二厚度可以大于第一厚度。每一个第三栅电极的第三厚度可以小于第二厚度。
金融界2024-01-30
三星申请集成电路装置专利，提供了一种集成电路装置
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路装置“，公开号CN117479533A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，提供了一种集成电路装置，其包括：衬底，其具有第一有源区和与第一有源区间隔开的第二有源区；以及多个单元图案，其具有柱形，其中，多个单元图案包括在第一水平方向上延伸并且包括多个第一单元组的多个第一单元图案，以及与多个第一单元组间隔开、在第一水平方向上延伸、并且包括多个第二单元组的多个第二单元图案，并且其中，多个第二单元图案的各自的侧表面具有沿着多个第一单元图案的与多个第二单元图案中的相应第二单元图案相邻的各自的侧表面向内凹陷的各自的凹部。
金融界2024-01-30
三星申请半导体存储器件和制造其的方法专利，提高半导体存储器件的性能
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件和制造其的方法“，公开号CN117479532A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了半导体存储器件和制造方法。例如，一种半导体存储器件可以包括具有彼此相邻的第一有源图案和第二有源图案的衬底，沟槽将第一有源图案和第二有源图案分开。第一有源图案包括第一源极/漏极区，第二有源图案包括第二源极/漏极区。第二源极/漏极区包括与第一源极/漏极区相邻的第一侧壁表面和第二侧壁表面以及连接第一侧壁表面和第二侧壁表面的连接表面。第二侧壁表面从第一侧壁表面相对于第一源极/漏极区向后缩进。半导体存储器件还包括在第一有源图案和第二有源图案之间的沟槽中的器件隔离层，其中器件隔离层在第二源极/漏极区的第一侧壁表面上。位线在衬底上沿第一方向延伸，位线包括电连接到第一源极/漏极区的接触部分。半导体存储器件还包括在器件隔离层上、在位线的接触部分的侧壁上以及在第二源极/漏极区的第二侧壁表面上的下间隔物。此外，半导体存储器件包括：联接到第二源极/漏极区的接触，下间隔物的一部分在接触和位线的接触部分之间；在接触上的着落垫；以及在着落垫上的数据存储元件。
金融界2024-01-30
三星申请等离子体处理设备专利，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“等离子体处理设备“，公开号CN117476497A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：装载锁定腔室，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；以及基底处理设备，被配置为：将基底传送到装载锁定腔室和从装载锁定腔室传送基底，并且在真空环境下在等离子体腔室中对基底的表面执行等离子体处理。基底处理设备包括：基底载台，设置在等离子体腔室内并且被配置为支撑基底；等离子气体供应器，被配置为将等离子气体供应到等离子体腔室中；蒸汽供应器，被配置为将水蒸气供应到等离子体腔室中；以及等离子体生成器，被配置为在等离子体腔室中生成等离子体。
金融界2024-01-30
三星申请半导体装置专利，实现更优化的数据存储系统
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统“，公开号CN117479541A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：基底；导电层；以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分；以及顺序堆叠的第二部分，其中，第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层；阻挡层上的第一导电层；以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度，第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度，并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。
金融界2024-01-30
三星申请半导体器件专利，半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物
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1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117479531A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。
金融界2024-01-30

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