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三星半导体业务2023年亏损将超13万亿韩元
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鉴于全球经济放缓和存储需求低迷，三星电子预计2023年半导体相关业务亏损将超过13万亿韩元，这标志着三星电子首次连续四个季度亏损。随着存储价格在2023下半年反弹，加上客户存储库存耗尽，导致三星半导体业务亏损在2023年第四季度趋于收敛。三星预计2024年半导体业务将得到改善，目标不仅是扭亏为盈，而且年营业利润将超过12万亿韩元。
金融界2023-12-26
三星将美国新工厂的量产计划推迟至2025年
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三星电子推迟了在德克萨斯州Taylor新芯片工厂的量产计划。三星晶圆代工业务总裁Choi Siyoung在旧金山的一个行业活动上的讲话报道称，这座即将投资170亿美元的晶圆厂将于2025年开始量产。三星在2021年宣布投资计划时曾表示，该工厂将在2024年下半年投产。一位发言人表示，该公司目前无法确认量产时间表。
金融界2023-12-26
亚市午盘：亚洲股市小幅上涨美元三连跌
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太指数上涨0.2%，芯片制造商台积电和三星电子对指数提振最大。中国台湾股市领涨地区基准股指，而日本和印度股市基本持平。中国香港、澳大利亚和其他几个国家和地区市场休市。关键的亚洲股市指数有望实现月度上涨，因为最近有迹象表明美联储可能结束紧缩政策，这有助于提振风险偏好。美国最新经济数据也增加了明年降息的可能性。美元指数势创连续三日下跌，G10货币中瑞典克朗和挪威克朗领涨。马来西亚林吉特五日连涨，迈向逾4个月新高。WTI原油期货在上周涨近3%后维持强势，中东紧张局势有扩散风险，伊朗称一名高级将领因以色列在叙利亚的空袭而丧生。市场概览： MSCI亚太指数涨0.2% 日本东证指数下跌0.1%日本日经指数跌0.1% 中国沪深300指数跌0.7% 中国台湾Taiex指数上涨0.7% 韩国Kospi指数上涨0.1%，韩国股市KOSPI 200指数涨0.3% 新加坡海峡时报指数基本持平，马来西亚股市下跌0.2%，泰国SET指数涨0.2%，越南VN指数上涨0.1% 印度NSE Nifty 50指数基本持平 10年期美国国债收益率下跌1.3个基点至3.88% WTI原油期货涨0.1%至每桶74美元欧元兑美元上涨0.2%至1.10。
金融界2023-12-26
三星取得无线通信系统专利，提高用户设备操作效率
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2月25日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于无线通信系统中的系统信息传递的方法和装置“，授权公告号CN113206728B，申请日期为2018年1月。专利摘要显示，提供一种用于在无线通信系统中操作用户设备UE的方法，该方法包括：从基站接收用于包括系统信息块1控制资源集合SIB1CORESET配置的主信息块MIB的同步信号/物理广播信道SS/PBCH块，其中SIB1CORESET配置包括SIB1CORESET的资源块RB的数量和时间资源的信息；基于SIB1CORESET的RB的数量确定初始激活带宽部分BWP；以及在SIB1CORESET内的至少一个时频资源中接收物理下行链路控制信道PDCCH，其中，PDCCH包括初始激活BWP内的用于系统信息块1SIB1的物理下行链路共享信道PDSCH的调度信息。
金融界2023-12-25
三星申请基于固态驱动器的独立磁盘冗余阵列专利，实现从应用的虚拟存储器到RAID系统的系统存储器中的RAID阵列的映射
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2月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于基于固态驱动器的独立磁盘冗余阵列的方法和系统“，公开号CN117271396A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，用于基于固态驱动器的独立磁盘冗余阵列的方法和系统被提供。操作在RAID系统的文件系统(FS)处从应用被接收。RAID系统的存储器映射模块根据所述操作接收至少一个FS逻辑块地址(LBA)。存储器映射模块使用所述至少一个FS LBA来创建从所述应用的虚拟存储器到RAID系统的系统存储器中的RAID阵列的映射。
金融界2023-12-22
三星申请集成电路装置和包括其的电子系统专利，实现电路装置的优化设计
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2月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路装置和包括其的电子系统“，公开号CN117279376A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，公开了集成电路装置和包括其的电子系统。所述集成电路装置包括：第一结构和堆叠在第一结构上的第二结构。第一结构包括第一基底、外围电路和第一键合垫。第二结构包括：第二基底，包括第一侧和第二侧；多个栅电极，设置在第二基底的第一侧上；第一单元接触插塞，穿透第一栅电极的第一导电垫，电连接到第一栅电极，穿透设置在第一栅电极的上部的第二栅电极，并且与第二栅电极电绝缘；第一节点分离结构，穿透第二基底，并且围绕位于第二基底内部的第一单元接触插塞的上部；以及第二键合垫，键合到第一键合垫。
金融界2023-12-22
三星申请半导体存储器装置专利，提高存储器系统的效率
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2月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统“，公开号CN117275540A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在所述半导体存储器装置的上电序列期间自动地将随机计数数据存储在多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且响应于来自外部存储器控制器的激活命令通过对与所述多个存储器单元行中的每个相关联的访问的次数进行计数来确定计数值，并且将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中。刷新控制电路接收锤击地址，并且对所述多个存储器单元行中的物理邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个存储器单元行执行锤击刷新操作。
金融界2023-12-22
三星申请半导体器件专利，具有改进的性能和可靠性
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2月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117276322A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种具有改进的性能和可靠性的半导体器件。半导体器件可以包括在第一方向上延伸的下部图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下部图案间隔开的多个片状图案。多个栅极结构可以在下部图案上并且在第一方向上间隔开，源极/漏极图案可以包括半导体衬垫膜和在半导体衬垫膜上的半导体填充膜。由半导体衬垫膜的内表面限定的衬垫凹陷可以包括多个宽度延伸区域，并且随着在第二方向上距下部图案的上表面的距离增大，每个宽度延伸区域在第一方向上的宽度可以增大然后减小。
金融界2023-12-22
三星申请半导体装置专利，有助于提高半导体装置的性能及其集成度
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2月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置”，公开号CN117276276A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，提供了半导体装置，其包括：第一有源区域和第二有源区域，在基底上并在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源区域和第二有源区域上，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，分别在第一有源区域和第二有源区域上并与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；第一接触插塞和第二接触插塞，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上并分别连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及垂直掩埋结构，在第一栅极结构与第二栅极结构之间并在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。垂直掩埋结构包括与第一接触插塞接触的第一侧表面。
金融界2023-12-22
三星申请电子装置及其操作方法专利，实现通过麦克风孔收集外部声音
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2月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“电子装置及其操作方法“，公开号CN117280678A，申请日期为2022年4月。专利摘要显示，根据某些实施例，一种电子装置包括：第一壳体；设置在所述第一壳体中的第一基板；第二壳体；设置在第二壳体中的第二基板；连接第一基板和第二基板的柔性印刷电路板(FPCB)；铰链模块，铰接地连接所述第一壳体和所述第二壳体；铰链盖，覆盖所述铰链模块，所述铰链盖具有形成于其中的麦克风孔；至少一个第一麦克风，设置在所述第一壳体中；扬声器，设置在第二壳体中；以及至少一个第二麦克风，设置在所述铰链模块中，并且被配置为通过形成在所述铰链盖中的所述麦克风孔收集外部声音，并且安装在从所述FPCB延伸的部分上。
金融界2023-12-22

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