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香港机管局：1月客运量410万人次同比增长1倍
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增幅，当中以往来东南亚、中国内地及中国台湾地区的升幅最高。
金融界2024-02-20
机会来了？高盛：在中国大幅降息前，对冲基金就已入场中国股市
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青睐亚洲新兴市场，纷纷买入中国、韩国、台湾和印度的公司股票。高盛的研究表明，此举发生在中国大幅下调基准抵押贷款利率之前。高盛在上周发布并于周一（2月19日）晚间与路透社分享的一份报告中表示，亚洲是其主要经纪公司追踪的对冲基金净买入最多的地区，这意味着买家超过卖家。中国央行周二宣布有史以来最大幅度的基准抵押贷款利率下调，将五年期贷款优惠利率从4.20%下调至3.95%。中国疲软的房地产行业仍然是经济和市场情绪的主要拖累。2023年新房价格出现九年来最严重跌幅，而股市自2月5日触及五年低点以来，该指数一直在疲软。投资银行华兴资本股票主管Andy Maynard表示，降息对市场非常积极。 Maynard表示：“总体而言，这是积极的，显示了政策制定者和央行在支持和稳定市场方面的承诺和地位，并注入了一定程度的支持。” “这是由于农历新年期间消费者和零售数据非常好，”他说。高盛表示，对冲基金交易几乎全部由多头头寸组成，即押注资产价格将会上涨，该地区已连续第四周被净买入。中国、韩国、台湾和印度本周出现净买入，全部由多头买入带动。高盛表示，这超过了泰国公司股票的小幅净抛售。对冲基金青睐大多数股票行业，但交易重点是购买医疗保健公司股票和销售消费品的股票。高盛表示，亚洲的信息科技和工业公司被净卖出。
Linlin2024-02-20
万辰集团将于3月7日召开股东大会，共审议2项议案
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资者可以参与投票。会议地点：福建漳浦台湾农民创业园福建万辰生物科技集团股份有限公司会议室。本次股东大会共计审计2项议案，具体如下： 1、《关于延长向特定对象发行股票股东大会决议有效期的议案》 2、《关于提请股东大会延长授权董事会全权办理本次向特定对象发行A股股票相关事宜有效期的议案》。
金融界2024-02-20
泰德股份上涨5.54%，报4.76元/股
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，并批量出口美洲、欧洲、日本、东南亚及台湾地区。截至9月30日，泰德股份股东户数9133，人均流通股1.09万股。 2023年1月-9月，泰德股份实现营业收入2.01亿元，同比增长6.32%；归属净利润398.45万元，同比减少70.05%。
金融界2024-02-20
天德钰下跌5.04%，报12.06元/股
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芯片等。公司的销售网络覆盖中国（大陆及台湾）、美国、日本、韩国等地，主要客户包括国内外一流知名品牌企业。截至9月30日，天德钰股东户数7815，人均流通股1.42万股。 2023年1月-9月，天德钰实现营业收入8.26亿元，同比减少12.38%；归属净利润7483.47万元，同比减少52.18%。
金融界2024-02-20
中芯国际(00981)下跌2.34%，报14.22元/股
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2寸晶圆厂，并在美国、欧洲、日本和中国台湾设立营销办事处，以及在中国香港设立了代表处。截至2023年中报，中芯国际营业总收入218.41亿元、净利润45.8亿元。
金融界2024-02-20
台积电5/4纳米制程维持满载宝山厂2纳米Q4试产
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据台湾电子时报，半导体供应链表示，台积电不仅现有制程产能利用率全面回升外，2纳米进度亦优于预期，首季除了8寸产能利用率缓步回升外，台积电的12寸产利用率更是到八成以上，尤其是5/4纳米制程维持满载。而代工价近2万美元的3纳米由2023年底75%一举拉升至95%，首季月产能已提前达到10万片。据供应链透露，台积电2纳米进展相当顺利，宝山P1厂将于2024年第四季就会开始试产，2025年第二季进入量产，首家采用客户仍为苹果，包括英特尔、联发科、高通、超微等众多客户也已展开合作。
金融界2024-02-20
台积电申请铁电结构、集成电路与其形成方法专利，存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构
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2月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“铁电结构、集成电路与其形成方法“，公开号CN117580364A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本公开提供铁电结构、集成电路与其形成方法，其中存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构。在一些实施例中，铁电结构包含：第一铁电层；第二铁电层，上覆于第一铁电层；以及第一抑制层，设置于第一铁电层与第二铁电层之间且毗邻第二铁电层。第一抑制层为与第一铁电层及第二铁电层不同的材料。
金融界2024-02-20
台积电申请三维集成电路器件及其制造方法专利，实现生成伪焊盘图案的方法
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2月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“三维集成电路器件及其制造方法“，公开号CN117577631A，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本公开提供了生成伪焊盘图案的方法。根据本公开的实施例的制造三维集成电路器件的方法包括：接收包括设置在划线区域中的器件区域的设计布局，识别划线区域的围绕器件区域的中心部分和围绕中心部分的边缘部分，将边缘部分划分成多个矩形分区；将伪图案叠加在多个矩形分区的每个矩形分区上，以获得边缘伪图案，将伪图案叠加在中心部分上，以获得中心伪图案，从中心伪图案雕刻掉对应于器件区域的伪图案的部分，以获得净中心伪图案，基于边缘伪图案和净中心伪图案生成划线伪图案，以及制造包括划线伪图案的第一光掩模。本发明的实施例还提供了三维集成电路器件。
金融界2024-02-20
台积电申请用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法专利，该专利技术能实现有效隔离晶体管
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2月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法“，公开号CN117577585A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆执行浸泡工艺。
金融界2024-02-20

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