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台积电取得半导体装置专利，提供一种半导体装置

2月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN220233201U，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体装置。根据本公开的一种示例性半导体装置包括设置在一基底上方并沿一第一方向耦合到一源极/漏极部件的多个通道构件、环绕所述通道构件的各个通道构件的一栅极结构、以及邻近于所述源极/漏极部件设置且沿着大致垂直于所述第一方向的一第二方向延伸的一介电间隔物，其中所述源极/漏极部件包括至少两个半导体层，并且前述至少两个半导体层中的每一个半导体层是与所述介电间隔物直接接触。

金融界2023-12-25

台积电取得半导体装置专利，实现更高效的半导体设备设计

2月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利，授权公告号CN220233202U，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，一种半导体装置，包括垂直配置在第一底鳍结构上方的第一组半导体层和垂直配置在第二底鳍结构上方的第二组半导体层，设置在基板上方的隔离绝缘层，包括设置在第一组半导体层和第二组半导体层之间的介电层的壁鳍，以及栅极结构。栅极结构包括环绕第一组半导体层中的每一个的第一栅极介电层，以及环绕第二组半导体层中的每一个的第二栅极介电层、设置在第一栅极介电层上方的多个第一导电层，以及设置在第二栅极介电层上方的多个第二导电层，以及设置在第一导电层和第二导电层上方的栅电极。

金融界2023-12-25

中美半导体突发重磅！美光与中国企业达成全球和解协议推动修复与北京的关系

2017年，美光在美国控告福建晋华及其台湾合作伙伴联电(United Microelectronics Corp.)，指控这两家公司窃取美光存储器芯片商业机密。 2018年10月30日，美国商务部将福建晋华列入《出口管理条例》实体名单，禁止美国企业向其出售软件、技术及产品。此后，联电也宣布，决定暂停为福建晋华开发技术，并与美光和解。美国检察官同意撤销经济间谍活动和共谋知识产权盗窃的指控。不过，美国司法部对福建晋华的案件仍悬而未决。此举严重影响到福建晋华的发展。根据规划，福建晋华的制造技术工作主要交由联电进行，整体晋华项目的第1期，总计将投入53亿美元，并将于2018年第3季正式投产，届时导入32纳米制程的12寸晶圆月产能，预计达到6万片的规模。公司目标最终推出20纳米产品，规划到2025年四期建成月产能24万片。但美光及美国商务部的行为无疑影响了福建晋华和整个存储芯片的发展。 12月21日，美光科技披露截至11月30日的第一财季业绩。财报显示，2024财年第一季度美光科技收入为47.3亿美元，分析师预期45.4亿美元；上一季度为40.1亿美元，环比增长 18%；去年同期为40.9亿美元，同比增长16%。在财报公布之后，美光科技连续两个交易日大幅攀升，整体涨幅近10%。

tqttier2023-12-25

NOR Flash掀存储器新涨价潮，预计下月起先涨5%

据台湾经济日报，NOR Flash掀存储器新涨价潮，预计下月起先涨5% 编码型快闪存储器（NOR Flash）受惠于库存回补，尤其每台AI终端装置搭载的NOR Flash容量以数倍爆发性增长，引领NOR Flash接棒启动新一波存储器涨价潮，预计下月起先涨5%，明年第2季再涨10%。业界分析，华邦、旺宏、兆易创新等NOR Flash供应商去年底逐步启动减产后，有效降低市场库存量，前一段时间业界库存水位平均约三至四周；近期终端需求回温引动拉货效应，OEM及系统厂库存快速降至仅二周左右，回补库存迫在眉睫，在需求增加、供给减少下，推升此波NOR Flash报价涨势。

金融界2023-12-25

中芯国际下跌2.03%，报53.68元/股

2寸晶圆厂，并在美国、欧洲、日本和中国台湾设立营销办事处。截至9月30日，中芯国际股东户数27.63万，人均流通股2.88万股。 2023年1月-9月，中芯国际实现营业收入330.98亿元，同比减少12.35%；归属净利润36.75亿元，同比减少60.86%。

金融界2023-12-25

台股开涨0.16%

台湾加权指数12月25日（周一）开盘上涨28.01点，涨幅0.16%，报17624.64点。

金融界2023-12-25

台积电取得形成互连结构的方法专利，此方法能在互连介电层的开口内形成具有圆角的互连导线

2月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“形成互连结构的方法“，授权公告号CN113658906B，申请日期为2021年3月。专利摘要显示，在一些实施方式中，本揭露是关于一种形成互连结构的方法，此方法包含沉积多个硬罩幕层于互连介电层上。沉积第一图案化层于多个硬罩幕层上，并形成第一罩幕结构于第一图案化层上。第一罩幕结构具有透过第一极紫外线(EUV)微影制程形成的开口。依照第一罩幕结构移除部分的第一图案化层。形成第二罩幕结构于经图案化的第一图案化层内。第三罩幕结构形成于最上方的硬罩幕层上，且具有透过第二极紫外线微影制程形成的开口。进行移除制程，以图案化多个硬罩幕层，借以在互连介电层中形成开口，并于互连介电层的开口内形成具有圆角的互连导线。

金融界2023-12-25

台积电取得存储器器件及其形成方法专利，实现存储器器件的高效形成

2月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器器件及其形成方法“，授权公告号CN113421603B，申请日期为2021年3月。专利摘要显示，存储器器件包括编程栅极条、读取栅极条和一位存储器单元的阵列。每个一位存储器单元包括反熔丝结构、晶体管、端子导体、一组第一编程导线和位连接件。反熔丝结构具有位于有源区中的第一半导体区域上面的第一介电层，该第一半导体区域位于编程栅极条和有源区的交点处。晶体管具有位于读取栅极条和有源区的交点处的有源区中的沟道区域。端子导体位于有源区中的晶体管的端子区域上面。该组第一编程导线通过一组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至编程栅极条。位连接件通过一个或多个端子通孔连接件导电地连接至端子导体。本发明的实施例还涉及存储器器件的形成方法。

金融界2023-12-25

台积电取得半导体泄漏分析专利，可识别单元邻接情况

2月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统”的专利，授权公告号CN111444669B，申请日期为2020年1月。专利摘要显示，该方法用于计算半导体器件中的边界泄漏。检测第一单元和第二单元之间的边界，该第一单元和第二单元在该边界周围彼此邻接。识别与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性。基于与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况。基于与单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算第一单元和第二单元之间的预期边界泄漏。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。

金融界2023-12-25

投资日历：周一资本市场大事提醒

元7天期逆回购到期。 ⑪今日将公布中国台湾11月工业生产年率等数据。

金融界2023-12-25

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